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  • 氟油液態(tài)溫度沖擊認(rèn)證試驗(yàn)
    氟油液態(tài)溫度沖擊認(rèn)證試驗(yàn)

    廣電計(jì)量積累了大量氟油液態(tài)溫度沖擊認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn),可開展氟油介質(zhì)的液態(tài)溫沖試驗(yàn),轉(zhuǎn)換時(shí)間不超過10s,溫度范圍為-70℃至150℃。能夠覆蓋JEDEC、MIL、GB等標(biāo)準(zhǔn)。

    更新時(shí)間:2024-03-13訪問量:526
  • 錫須檢查,元器件及裝備失效分析
    錫須檢查,元器件及裝備失效分析

    錫須是從元器件焊接點(diǎn)的錫鍍層表面生長(zhǎng)出來的一種細(xì)長(zhǎng)的錫單晶,錫須的存在可能導(dǎo)致電器短路、弧光放電,以及及光學(xué)器件損壞等危害。廣電計(jì)量錫須檢查,元器件及裝備失效分析服務(wù)擁有完整的錫須檢查試驗(yàn)設(shè)備,經(jīng)驗(yàn)豐富的分析人才,能夠高效準(zhǔn)確的提供錫須檢查測(cè)試服務(wù)。

    更新時(shí)間:2024-03-13訪問量:528
  • 離子清潔度測(cè)試,裝備失效分析檢驗(yàn)
    離子清潔度測(cè)試,裝備失效分析檢驗(yàn)

    離子清潔度通常是指線路板的離子清潔度,由于印刷線路板的各種材料在清洗工藝時(shí)造成離子殘留,會(huì)影響電子產(chǎn)品的功能性和可靠性。最常見的離子污染導(dǎo)致的問題分別是表面腐蝕和結(jié)晶生長(zhǎng),最終引起了短路,過多的電流通過連接器,造成電子產(chǎn)品的最終損壞。廣電計(jì)量能提供離子清潔度測(cè)試,裝備失效分析檢驗(yàn)服務(wù)。

    更新時(shí)間:2024-03-13訪問量:523
  • 焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè),元器件失效測(cè)試
    焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè),元器件失效測(cè)試

    廣電計(jì)量擁完整的剪切力拉力試驗(yàn)設(shè)備、X射線透視(xray)試驗(yàn)設(shè)備,并擁有完整的染色測(cè)試方法經(jīng)驗(yàn)與豐富的分析人才,能夠高效準(zhǔn)確的提供焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè),元器件失效測(cè)試。

    更新時(shí)間:2024-03-13訪問量:505
  • 電子元器件篩選,元件失效分析測(cè)試
    電子元器件篩選,元件失效分析測(cè)試

    廣電計(jì)量可滿足各等級(jí)電子元器件篩選,元件失效分析測(cè)試需求,提供電子元器件測(cè)試、評(píng)估、質(zhì)量保證的成套方案,幫助企業(yè)及時(shí)發(fā)現(xiàn)和剔除有缺陷、易發(fā)生早期失效的元器件,提高電子元器件的使用可靠性,保障和支撐電子裝備可靠性提升。

    更新時(shí)間:2024-03-13訪問量:626
  • 電源模塊老煉與測(cè)試驗(yàn)證,失效分析機(jī)理檢驗(yàn)
    電源模塊老煉與測(cè)試驗(yàn)證,失效分析機(jī)理檢驗(yàn)

    廣電計(jì)量電源模塊老煉與測(cè)試驗(yàn)證,失效分析機(jī)理檢驗(yàn)適應(yīng)于交直流電源、模塊電源、醫(yī)療電源等各類電源產(chǎn)品的測(cè)試。電源模塊老煉試驗(yàn)通過對(duì)電源模塊施加電應(yīng)力和熱應(yīng)力,在短時(shí)間內(nèi)讓不良品表現(xiàn)出失效現(xiàn)象,以達(dá)到提高電源模塊使用可靠性的目的。

    更新時(shí)間:2024-03-13訪問量:663
  • 電纜可靠性測(cè)試,元器件失效分析
    電纜可靠性測(cè)試,元器件失效分析

    廣電計(jì)量電纜可靠性測(cè)試,元器件失效分析服務(wù)在電線電纜測(cè)試與鑒定方面具有深厚的積累,可提供電線電纜的一站式測(cè)試與鑒定服務(wù)。

    更新時(shí)間:2024-03-13訪問量:550
  • 破壞性物理分析,DPA測(cè)試 元器件失效分析
    破壞性物理分析,DPA測(cè)試 元器件失效分析

    廣電計(jì)量破壞性物理分析,DPA測(cè)試 元器件失效分析提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析(DPA)服務(wù),其中針對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體?藝,具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?,將問題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi),針對(duì)有水汽控制要求的宇航級(jí)空封器件,提供PPM級(jí)內(nèi)部水汽成分分析,保證空封元器件特殊使用要求。

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