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簡要描述：功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的，也是特性參數(shù)測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計量功率器件失效根因分析,電子器件測試擁有業(yè)界專家團(tuán)隊及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)。
廠商性質(zhì)：工程商更新時間：2024-03-13訪問次數(shù)：568產(chǎn)品分類
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| 品牌 | 廣電計量 | 服務(wù)區(qū)域 | 全國 |
|---|---|---|---|
| 服務(wù)資質(zhì) | CMA/CNAS | 服務(wù)周期 | 常規(guī)5-7個工作日 |
| 服務(wù)費用 | 視具體項目而定 |
服務(wù)范圍
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分?器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊
檢測標(biāo)準(zhǔn)
l GJB548B-2005微電子器件試驗?法和程序
l GJB8897-2017J用電子元器件失效分析要求與?法
l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
檢測項目
| 試驗類型 | 試驗項? |
| ?損分析 | X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡 |
| 電特性/電性定位分析 | 電參數(shù)測試、IV&CV 曲線量測、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗證 |
| 破壞性分析 | 開封、去層、切?、芯?級切片、推拉力測試 |
| 微觀顯微分析 | DB FIB切?截?分析、FESEM 檢查、EDS微區(qū)元素分析、掃描電鏡、透射電鏡 |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
受益于國產(chǎn)替代趨勢，國內(nèi)功率器件廠商迎來了大的發(fā)展機(jī)會。在成長中廠商迫切希望減少或消除產(chǎn)品失效，并在設(shè)計、?藝和產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、可靠性測試、封裝等階段進(jìn)?改進(jìn)，以迅速占領(lǐng)市場。廣電計量提供功率器件失效根因分析,電子器件測試服務(wù)。
我們的優(yōu)勢
廣電計量功率器件失效根因分析,電子器件測試擁有業(yè)界專家團(tuán)隊及先進(jìn)的失效分析設(shè)備，專注功率器件失效根因分析，可為客?提供完整的失效根因分析服務(wù)，針對產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計、來料檢驗、加?組裝、測試篩選、客?端使?等各個環(huán)節(jié)，為客?提供失效分析咨詢、協(xié)助客?開展設(shè)計規(guī)劃、以及分析測試服務(wù)。
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