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超聲波顯微鏡 (SAT)C-SAM,材料無(wú)損檢測(cè)

簡(jiǎn)要描述:超超聲波顯微鏡 (SAT)C-SAM,材料無(wú)損檢測(cè):聲波顯微鏡 (SAT)是Scanning Acoustic Tomography 的簡(jiǎn)稱,又稱為C-SAM (C-mode Scanning Acoustic Microscope)。此檢測(cè)為應(yīng)用超聲波與不同密度材料的反射速率及能量不同的特性來(lái)進(jìn)行分析。

  • 廠商性質(zhì):工程商
  • 更新時(shí)間:2024-03-14
  • 訪問(wèn)次數(shù):648

詳細(xì)介紹

品牌廣電計(jì)量服務(wù)區(qū)域全國(guó)
服務(wù)資質(zhì)CANS服務(wù)周期常規(guī)5-7個(gè)工作日
加急服務(wù)可提供發(fā)票可提供
報(bào)告類型中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告

服務(wù)內(nèi)容

超聲波顯微鏡 (SAT)C-SAM,材料無(wú)損檢測(cè)超聲波掃描(C-SAM)可以無(wú)損檢測(cè)電子元器件、LED、金屬基板的分層、裂紋等缺陷(裂紋、分層、空洞等);通過(guò)圖像對(duì)比度判別材料內(nèi)部聲阻抗差異、確定缺陷形狀和尺寸、確定缺陷方位。 

服務(wù)范圍

超聲波顯微鏡 (SAT)C-SAM,材料無(wú)損檢測(cè)塑料封裝IC、IGBT、半導(dǎo)體分立器件,晶片、PCB、LED,AMB/DBC陶瓷基板等。

參照標(biāo)準(zhǔn)

● GJB4027B-2021J用電子元器件破壞性物理分析

GJB548C-2021 微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB128B-2021半導(dǎo)體分立器件破壞性物理分析方法和程序

MIL-STD-883H微電子器件試驗(yàn)方法和程序(美軍標(biāo))

測(cè)試周期

常規(guī)5-7個(gè)工作日

測(cè)試流程 

●單項(xiàng)測(cè)試:C-SAM

●DPA(破壞性物理分析)1: 外部目檢-->XrayC-SAM->內(nèi)部目檢鍵合強(qiáng)度掃描電子顯微鏡檢查玻璃鈍化層完整性

●元器件分層驗(yàn)證:C-SAM剖面分析

●可靠性試驗(yàn)后的封裝缺陷驗(yàn)證:C-SAM可靠性試驗(yàn)C-SAM

●潮濕敏感等級(jí)驗(yàn)證:C-SAM—>烘烤—>吸潮—>回流焊—>C-SAM

服務(wù)背景

在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域;如SIP、MCM、SMT、SOP、BGA封裝以及功率電子元器件IGBT模組封等元器件在裝過(guò)程中;由于封裝工藝、以及材料之間熱應(yīng)力的影響,工件內(nèi)部常會(huì)出現(xiàn)諸如;分層、虛焊、裂縫和氣泡、綁線脫落、等缺陷。在表面是觀測(cè)不到的。缺陷處在做功過(guò)程中受到熱膨脹或受到腐蝕時(shí),極易導(dǎo)致導(dǎo)電失效,影響產(chǎn)品性能。對(duì)企業(yè)產(chǎn)品合格率造成影響。超聲SAT,是利用超聲斷層成像技術(shù),對(duì)材料內(nèi)部進(jìn)行掃描成像的無(wú)損檢測(cè)設(shè)備。與CT類似,可對(duì)工件進(jìn)行逐層掃描成像的設(shè)備。在半導(dǎo)體封裝集成電路領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。相關(guān)半導(dǎo)體封裝客戶常常將超聲SAT檢測(cè)作為出廠前的質(zhì)檢QC流程。

我們的優(yōu)勢(shì)

廣電計(jì)量聚焦集成電路失效分析技術(shù),擁有業(yè)界專業(yè)的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備,可為客戶提供完整的失效分析檢測(cè)服務(wù),幫助制造商快速準(zhǔn)確地定位失效,找到失效根源。同時(shí),我們可針對(duì)客?的研發(fā)需求,提供不同應(yīng)?下的失效分析咨詢、協(xié)助客戶開展實(shí)驗(yàn)規(guī)劃、以及分析測(cè)試服務(wù),如配合客戶開展NPI階段驗(yàn)證,在量產(chǎn)階段(MP)協(xié)助客戶完成批次性失效分析。


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